碳化硅等宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）近年来已成为全球高新技术领域竞争的战略制高点和国际半导体及材料领域研究和发展的热点，在国民经济、国防安全、国际竞争和社会民生等领域具有重要的战略意义。

APCSCRM作为亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平论坛之一，广泛地涵盖了宽禁带材料及相关器件的多学科主题，包括晶体及外延生长、材料特性、功率和光电子器件、封装模块、系统解决方案和应用等内容。2022年即将于7月20日-22日在江苏省徐州市博顿温德姆酒店举办第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议。本届会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、SEMI（国际半导体产业协会）和中国晶体学会联合主办，江苏天科合达半导体有限公司承办，参会规模500余人。会议将进一步推动亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的发展，促进政、产、学、研、用之间的交流与协同创新。

现将会议相关情况通知如下：

一、会议组织机构：

  1. 指导单位：徐州经济技术开发区管理委员会

  2. 主办单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、SEMI（国际半导体产业协会）、中国晶体学会

  3. 承办单位：江苏天科合达半导体有限公司

  4. 协办单位：中国科学院微电子研究所、中国科学院电工研究所、安徽长飞先进半导体有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、中国电子材料行业协会、江苏中科汉韵半导体有限公司、江苏省半导体行业协会、中电化合物半导体有限公司

  5. 合作媒体：碳化硅芯观察、GaN世界、半导体行业观察

  6. 会议委员会（按照姓氏首字母排序）：

二、会议时间与地点：

  时间：2022年7月20-22日

  地点：江苏省徐州市博顿温德姆酒店（江苏省徐州市鼓楼区经济技术开发区龙湖西路16号）

三、会议主题：

  1、半导体材料生长与外延技术

  2、半导体器件及可靠性

  3、半导体封装及应用

四、会议日程：

7月20日

  10:00-20:00 报名注册

  15:00-17:30 2022年中国宽禁带半导体产业发展高峰论坛暨中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟会员大会

  18:00-20:00 晚餐

7月21日

  09:00-09:30 开幕式

  09:30-12:00 大会邀请报告

  12:00-13:30 午餐

  13:30-16:15 材料/器件/应用专场报告

  16:15-18:00 徐州经开区集成电路及信息产业园区参观

  18:30-20:00 欢迎晚宴

7月22日

  09:00-11:05 材料/器件/应用专场报告

  11:05-12:00 海报交流沟通

  12:00-13:30 午餐

  13:30-17:00 大会邀请报告

  17:00-18:00 闭幕式及颁奖盛典

  18:30-20:00 晚餐

五、报告嘉宾（按姓氏首字母排序，名单陆续更新）：

  1.Guo-Quan Lu教授（弗吉尼亚理工大学，美国）

  报告题目：提高碳化硅器件功率处理能力的先进封装方法

  2.Hideharu Matsuura教授（大阪电气通信大学，日本）

  报告题目：重掺杂Al的4H-SiC的电学性能

  3.Joesf Lutz教授（开姆尼茨工业大学，德国）

  报告题目：SiC器件的可靠性和可靠性测试

  4.Katsuaki Suganuma教授（大阪大学，日本）  

  报告题目：宽禁带半导体功率器件Ag烧结接合及故障实时监测研究进展

  5.Noriyuki Iwamuro教授（筑波大学，日本）

  报告题目：利用TCAD模拟研究最先进的1.2kv SiC沟道MOSFET中的UIS失效机理

  6.Tadatomo Suga教授（明星大学，日本）

  报告题目：表面活化键合及其在先进宽禁带半导体中的应用

  7.Tokuyasu Mizuhara总经理（罗姆半导体（北京）有限公司 技术中心，日本）

  报告题目：新一代SiC MOSFET助力“双碳”目标达成

  8.Yasuto Hijikata教授（埼玉大学，日本）

  报告题目：MOS 界面形成的单光子源特性

  9.Yokoo Hidekazu总监（爱发科股份有限公司，日本）  

  报告题目：SiC离子注入技术研究进展

  10.郭清副教授（浙江大学，中国）

  报告题目：碳化硅超级结功率器件的研究进展

  11.金智研究员（中国科学院微电子研究所，中国）

  报告题目：石墨烯电子器件

  12.雷光寅研究员（复旦大学，中国）

  报告题目：高玻璃化转变温度环氧塑封料的开发及性能表征

  13.李忠辉研究员（南京电子器件研究所，中国）

  报告题目：宽禁带半导体外延材料及其功率器件研究进展

  14.梁琳教授（华中科技大学，中国）

  报告题目：待定

  15.刘春俊研究员（北京天科合达半导体股份有限公司，中国）    

  报告题目：大尺寸SiC单晶衬底研究及产业进展

  16.刘国友常务副主任（新型功率半导体器件国家重点实验室，中国）  

  报告题目：轨道交通高压SiC功率半导体器件研究进展与挑战

  17.梅云辉教授（天津工业大学，中国）    

  报告题目：双面互连封装功率模块可靠性提升研究

  18.宁圃奇研究员（中国科学院电工研究所，中国）    

  报告题目：面向电动汽车应用的SiC模块开发

  19.钮应喜教授级高工（安徽长飞先进半导体有限公司，中国）  

  报告题目：碳化硅外延及相关技术进展

  20.王宏兴教授（西安交通大学，中国）

  报告题目：金刚石衬底研究进展

  21.王启东研究员（中国科学院微电子研究所，中国）  

  报告题目：SiC功率器件封装技术探讨

  22.辛振教授（河北工业大学，中国）    

  报告题目：电力电子系统电磁状态感知与集成

  23.徐科研究员（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，中国）    

  报告题目：待定

  24.杨军伟总经理（东莞市中科汇珠半导体有限公司，中国）

  报告题目：SiC同质厚膜外延层的新型形貌缺陷研究

  25.杨树教授（浙江大学，中国）

  报告题目：基于界面电荷调控的垂直型GaN功率器件

  26.曾正副教授（重庆大学，中国）

  报告题目：车用功率模块的热管理技术

  27.张泽盛总经理（北京晶格领域半导体有限公司，中国）

  报告题目：液相法生长大尺寸碳化硅单晶技术

  28.张紫辉教授（河北工业大学，中国）

  报告题目：GaN基肖特基势垒二极管的仿真设计与制备研究

六、会议注册：

  请登录会议官网进行报名注册：https://apcscrm2022.casconf.cn/page/1494232305135390720

  参会费用缴纳，仅支持公对公转账付款。

  汇款信息：

  户  名：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

  开户行：北京农商银行北臧村支行

  账  号：0905000103000006397  

七、部分参展单位

北京天科合达半导体股份有限公司

宁波恒普真空科技股份有限公司

艾德康科技有限公司

北京华林嘉业科技有限公司

北京特思迪半导体设备有限公司

瑞迈迪新材料科技(苏州)有限公司

北京北方亿恒科技石墨有限公司

东荣电子有限公司

浙江晶越半导体有限公司

河南创研新材料科技有限公司

河南联合精密材料股份有限公司

芯越微电子材料（嘉兴）有限公司

FIVEN GMBH

Park Systems

北京三禾泰达技术有限公司

常州市乐萌压力容器有限公司

丹东新东方晶体仪器有限公司

广东豪特曼智能机器有限公司

厦门天三半导体有限公司

上海翺晶半导体科技有限公司

上海德竹芯源科技有限公司

上海晶未科技有限公司

上海磊微科学仪器有限公司

苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司

苏州思体尔软件科技有限公司

扬帆半导体（江苏）有限公司

浙江飞越机电有限公司

苏州汉骅半导体有限公司

布鲁克（北京）科技有限公司

沈阳中科汉达科技有限公司

CAMECA

天鉴碳材料有限公司

名单持续更新，请随时关注...

八、会议联系人：

1、参会联系：张女士15264580067

联系邮箱：apcscrm@iawbs.com

2、商务联系：林女士13520874212

联系邮箱：linxueru@iawbs.com

3、投稿联系：陈女士15210986316

联系邮箱：mishuchu@iawbs.com

4、住宿预定联系：王经理 15366772352（请告知是宽禁带联盟国际会议参会）

 来源：宽禁带半导体技术创新联盟